1. 物料型号：
- STD1LNK60Z-1
- STQ1NK60ZR
- STN1NK60Z
2. 器件简介：
这些是N-CHANNEL 600V的功率MOSFET，具有13欧姆的导通电阻，最大持续漏电流为0.8A，封装形式为TO-92、IPAK和SOT-223。这些器件通过内部Zener二极管保护，具有极高的dv/dt能力。
3. 引脚分配：
- TO-92和TO-92 (Ammopak)：具有三个引脚，分别为漏极（D）、源极（S）和栅极（G）。
- SOT-223和IPAK：也是三个引脚，配置同上。
4. 参数特性：
- 漏源电压（Vpss）：600V
- 导通电阻（Rps(on)）：小于15欧姆
- 漏极电流（lD）：0.8A、0.3A、0.3A
- 功率（Pw）：25W、3W、3.3W
5. 功能详解：
- 这些SuperMESH™系列的MOSFET通过优化ST的PowerMESH™布局，显著降低了导通电阻，并确保了良好的dv/dt能力，适用于要求极高的应用场景。
- 内置的背对背Zener二极管设计，不仅增强了器件的ESD能力，还使其能够安全地吸收可能偶尔从栅极到源极施加的电压瞬变，避免了外部组件的使用。
6. 应用信息：
- 开关应用
7. 封装信息：
- STD1LNK60Z-1：IPAK封装，TUBE包装。
- STQ1NK60ZR：TO-92封装，BULK包装。
- STQ1NK60ZR-AP：TO-92封装，AMMOPAK包装。
- STN1NK60Z：SOT-223封装，TAPE & REEL包装。
