J212_SOT-23

J212 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J212 The J212 is a n-channel JFET General Purpose amplifier with low noise and low leakage. The SOT-23 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J212  HIGH GAIN   gfs = 7000µmho MIN  HIGH INPUT IMPEDANCE  IGSS = 100pA max  LOW INPUT CAPACITANCE  Ciss = 5pF  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  High gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  Low Leakage Maximum Power Dissipation  Low Noise Continuous Power Dissipation   360mW  J212 Applications: Derating over temperature  3.27 mW/°C  General Purpose Amplifiers MAXIMUM CURRENT UHV / VHF Amplifiers Gate Current (Note 1)  10mA  Mixers MAXIMUM VOLTAGES  Oscillators Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V      J212 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐4  ‐‐  ‐6  VDS = 15V,  ID = 1nA  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  15  ‐‐  40  mA  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current (Note 3)  ‐‐  ‐‐  ‐100  pA  VDS = 0V, VGS = ‐15V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐10  ‐‐  pA  VDS = 10V,  ID = 1mA  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  50  Ω  IG = 1mA,  VDS = 0V                J212 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  7000  ‐‐  12000  µmho  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1kHz  gos  Output Conductance  ‐‐  ‐‐  200  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  4  ‐‐  pF  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1MHz   Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  1  ‐‐  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  10  ‐‐  nV/√Hz  VDS = 15V,   VGS = 0V , f = 1kHz                J212 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  J212 Benefits: Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time      2  2  6  15      ns  VDD = 10V  VGS(H) = 0V    See Switching Circuit  Available Packages: J212 in SOT-23 J212 in bare die. Please contact Micross for full package and die dimensions SOT-23 (Top View) td(on)  tr  td(off)  tf    Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which J212 serviceability may be impaired.         Note 2 ‐ Pulse test duration = 2ms     Approximately doubles for every 10°C increase in TA      Note 3 –             Micross Components Europe Tel: +44 1603 788967 Email: chipcomponents@micross.com Web: http://www.micross.com/distribution Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems. Micross Components Ltd, United Kingdom, Tel: +44 1603 788967, Fax: +44 1603788920, Email: chipcomponents@micross.com Web: www.micross.com/distribution.aspx