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LS846_SOIC

LS846_SOIC

  • 厂商:

    MICROSS

  • 封装:

  • 描述:

    LS846_SOIC - Linear Systems Low Leakage Low Noise JFET - Micross Components

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
LS846_SOIC 数据手册
LS846 N-CHANNEL JFET Linear Systems Low Leakage Low Noise JFET The LS846 is a high-performance JFET featuring extremely low noise and low leakage and is targeted for use in a wide range of precision instrumentation applications. The 8 Pin P-DIP and 8 Pin SOIC provide ease of manufacturing, and the symmetrical pinout prevents improper orientation. (See Packaging Information). FEATURES  LOW LEAKAGE  IG = 15pA TYP.  LOW NOISE  en = 3nV/√Hz TYP.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  Operating Junction Temperature  +135°C  Maximum Voltage and Current– Note 1  ‐VGSS  Gate Voltage to Drain or Source  60V  ‐VGDS  Gate Voltage to Drain or Source  60V  ‐VDSO  Drain to Source Voltage  60V  ‐IG(f)  Gate Forward Current  50mA  Maximum Power Dissipation  Device Dissipation @ Free Air – Total                 350mW @ +125°C                MAX.  ‐‐    ‐‐  ‐‐    15    3.5  3.5    50  50  30  100    20  2    0.5  7    8  3  UNITS  V    µmho  µmho    mA    V  V    pA  nA  pA  pA    µmho  µmho    dB  nV/√Hz      pF    CONDITIONS  VDS = 0                  ID=1nA    VDG= 15V         VGS= 0V      f = 1kHz       VDG= 15V         ID= 500µA        VDG= 15V              VGS= 0V    VDS= 15V               ID= 1nA                VDS=15V                 ID=500µA    VDG= 15V ID= 500µA  TA= +125°C   VDG = 3V ID= 500µA  VDG= 15V , VDS =0    VDG= 15V              VGS= 0V  VDG=  15V            ID= 500µA  VDS= 15V      VGS= 0V       RG= 10MΩ  f= 100Hz           NBW= 6Hz  VDS=15V   ID=500µA  f=1KHz NBW=1Hz    VDS= 15V,   ID=500µA      VDG= 15V,   ID=500µA    LS846 Applications: Wideband Differential Amps High-Speed,Temp-Compensated SingleEnded Input Amps High-Speed Comparators Impedance Converters and vibrations detectors. ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTICS  MIN.  TYP.  BVGSS  Breakdown Voltage  60  ‐‐  TRANSCONDUCTANCE        YfSS  Full Conduction  1500  ‐‐  YfS  Typical Operation  1000  1500    DRAIN CURRENT      IDSS  Full Conduction  1.5  5  GATE VOLTAGE        VGS(off) or Vp  Pinchoff voltage  1  ‐‐  VGS(on)  Operating Range  0.5  ‐‐    GATE CURRENT      ‐IGmax.  Operating  ‐‐  15  ‐IGmax.  High Temperature  ‐‐  ‐‐  ‐IGmax.  Reduced VDG  ‐‐  5  ‐IGSSmax.  At Full Conduction  ‐‐  ‐‐  OUTPUT CONDUCTANCE        YOSS  Full Conduction  ‐‐  ‐‐  YOS  Operating  ‐‐  0.2    NOISE      NF  Figure  ‐‐  ‐‐  en  Noise Voltage  ‐‐  3    CAPACITANCE      CISS  Input  ‐‐  ‐‐  CRSS  Reverse Transfer  ‐‐  ‐‐  Note 1 – These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor may be impaired Click To Buy PDIP & SOIC (Top View) Available Packages: LS846 / LS846 in PDIP & SOIC LS846 / LS846 available as bare die Please contact Micross for full package and die dimensions Tel: +44 1603 788967 Email: chipcomponents@micross.com Web: http://www.micross.com/distribution Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.
LS846_SOIC
1. 物料型号: - 型号为LS846,是一种N-CHANNEL JFET。

2. 器件简介: - LS846是一款高性能的JFET,具有极低的噪声和漏电流,适用于多种精密仪器应用。

3. 引脚分配: - 提供8引脚P-DIP和8引脚SOIC封装,具有对称的引脚排列,以防止错误的方向安装。

4. 参数特性: - 低漏电流:典型值为15pA。 - 低噪声:e, = 3nV/√Hz(典型值)。 - 绝对最大额定值包括存储温度(-65°C至+150°C)、工作结温(+135°C)和最大电压/电流(如VGSS、VGDS、VDsO均为60V)。

5. 功能详解: - 适用于宽带差分放大器、高速温度补偿的单端输入放大器、高速比较器、阻抗转换器和振动探测器等应用。

6. 应用信息: - 应用包括宽带差分放大器、高速温度补偿的单端输入放大器、高速比较器、阻抗转换器和振动探测器。

7. 封装信息: - 可用封装包括PDIP和SOIC,同时提供裸片。具体的封装和裸片尺寸信息需联系Micross获取。
LS846_SOIC 价格&库存

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