### 物料型号
- 型号:LSID100
### 器件简介
- 简介:LSID100是一种低漏电流的单体双皮安二极管,提供了一种优于传统二极管技术的替代方案,特别是在需要最小化反向电流(漏电流)的应用中。此外,单体双重结构允许每个二极管之间具有出色的电容匹配。LSID100的漏电流为0.1皮安,非常适合用于运算放大器的输入保护等应用。
### 引脚分配
- 引脚:文档中提到引脚3和5在任何情况下都不得连接到任何电路或节点。
### 参数特性
- 反向漏电流:IR=0.1pA
- 反向击穿电压:BVR≥30V
- 反向电容:Crss=0.75pF
- 最大连续功耗:300mW
- 正向电流:20mA
- 反向电流:100μA
- 反向电压:30V
- 二极管间电压:±50V
### 功能详解
- 应用:运算放大器输入保护、多路复用器过电压保护。
- 电气特性:在25°C下,反向击穿电压BVR为30V,正向电压V为0.8至1.1V,反向漏电流IR小于或等于1pA(在1V下)和小于或等于10pA(在10V下)。
### 应用信息
- 应用场景:用于运算放大器的输入保护和多路复用器的过电压保护。
### 封装信息
- 封装:LSID100提供TO-78封装,并且可作为裸片提供。
- 供应商信息:可通过Micross Components Europe获取完整的封装和裸片尺寸信息。