PN5115_TO-92

PN5115 P-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix PN5115 This analog switch is designed for inverting switching into inverting input of an Operational Amplifier. The TO-92 provides a low cost option and ease of manufacturing. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX PN5115  LOW ON RESISTANCE  rDS(on) ≤ 100Ω  LOW CAPACITANCE  6pF  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +200°C  PN5115 Benefits: Operating Junction Temperature  ‐55°C to +200°C  Low On Resistance Maximum Power Dissipation  ID(off) ≤ 500 pA Continuous Power Dissipation   500mW  Switches directly from TTL logic MAXIMUM CURRENT PN5115 Applications: Gate Current (Note 1)  IG = ‐50mA  Analog Switches MAXIMUM VOLTAGES  Commutators Gate to Drain Voltage  VGDS = 30V  Choppers Gate to Source Voltage  VGSS = 30V  PN5115 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  30  ‐‐  ‐‐    IG = 1µA,   VDS = 0V    VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  3  ‐‐  6  VDS = ‐15V, ID = ‐1nA  V  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  ‐‐  ‐0.7  ‐1  IG = ‐1mA,   VDS = 0V      ‐‐  ‐1.0  ‐‐  VGS = 0V, ID = ‐15mA  VDS(on)  Drain to Source On Voltage  ‐‐  ‐0.7  ‐0.8  VGS = 0V, ID = ‐7mA  ‐‐  ‐0.5  ‐‐  VGS = 0V, ID = ‐3mA  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  ‐15  ‐‐  ‐60  mA  VDS = ‐15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current  ‐‐  5  500    VGS = 20V,  VDS = 0V    IG  Gate Operating Current  ‐‐  ‐5  ‐‐  VDS = ‐15V,  ID = ‐1mA  pA      ‐‐  ‐10  ‐‐  VDS = ‐15V, VGS = 12V    ID(off)  Drain Cutoff Current  ‐‐  ‐10  ‐500  VDS = ‐15V, VGS = 7V  ‐‐  ‐10  ‐‐  VDS = ‐15V, VGS = 5V  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  100  Ω  ID = ‐1mA,   VGS = 0V  PN5115 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  ‐‐  4.5  ‐‐  mS  VDS = ‐15V,  ID = 1mA , f = 1kHz  gos  Output Conductance  ‐‐  20  ‐‐  µS  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  ‐‐  100  Ω  ID = 0A,   VGS = 0V,   f = 1kHz  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  20  25    VDS = ‐15V, VGS = 0V, f = 1MHz  pF      ‐‐  5  ‐‐  VDS = 0V, VGS = 12V, f = 1MHz  Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  6  7  VDS = 0V, VGS = 7V, f = 1MHz  ‐‐  6  ‐‐  VDS = 0V, VGS = 5V, f = 1MHz  en  Equivalent Noise Voltage  ‐‐  20  ‐‐  nV/√Hz  VDG = 10V,  ID = 10mA , f = 1kHz  PN5115 SWITCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC    UNITS  CONDITIONS  Click To Buy Turn On Time  Turn On Rise Time  Turn Off Time  Turn Off Fall Time  10  20  8  30      ns  VGS(L) = ‐7V  VGS(H) = 0V    See Switching Circuit  ‐6V  12V  910Ω  220Ω  ‐7mA            Available Packages: PN5115 in TO-92 PN5115 in bare die. Please contact Micross for full package and die dimensions Tel: +44 1603 788967 Email: chipcomponents@micross.com Web: http://www.micross.com/distribution TO-92 (Bottom View) td(on)  tr  td(off)  tf  Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which PN5115 serviceability may be impaired.  Note 2 – Pulse test: PW≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 3%                                                                                                                    PN5115 SWITCHING CIRCUIT PARAMETERS                                                                                                                           VDD  VGG  RL  RG  ID(on)  SWITCHING TEST CIRCUIT Micross Components Europe Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.