M62021FP

物料型号： - M62021L, M62021P, M62021FP

器件简介： - M62021是一款系统重置IC，用于存储器备份功能，包括SRAM和微计算机（内部RAM）。该IC能够在断电和电源失效时向微计算机输出重置信号，并在主电源和备用电源之间切换RAM的电源供应，输出待机模式信号，并改变RAM至备份电路模式。M62021集成了微计算机系统所需的电源监控和RAM备份功能，与传统使用独立IC和分立元件的方案相比，能够更容易且使用更少的元件构建系统。

引脚分配： - VOUT（①）：电源输出，控制VIN和VBAT通过内部开关并从VOUT输出，能够输出高达100mA的电流。 - VBAT（②）：备用电源输入，备用电源连接到此引脚，若使用锂电池需串联电阻以保安全。 - VIN（③）：电源输入，+5V输入引脚，连接至逻辑电源。 - Ct（④）：延迟电容连接引脚，连接延迟电容以延迟各个输出。 - RES（⑤）：正重置输出，连接至微计算机的正重置输入，能够流出1mA的沉电流。 - GND（⑥）：地，所有信号的参考点。 - RES（⑦）：负重置输出，连接至微计算机的负重置输入，能够流出1mA的沉电流。 - CS（⑧）：芯片选择输出，连接至RAM的芯片选择，正常状态下输出低电平使RAM处于活动状态。在故障或备份条件下输出高电平，RAM进入待机状态，禁止读写功能。

参数特性： - 内置开关选择主电源和备用电源至RAM。 - 输入和输出电压的小差异（IOUT=80mA, VIN=5V）典型值为0.2V。 - 检测电压（电源监控电压）为4.40V±0.2V。 - 芯片选择信号输出（CS）。 - 两个重置输出通道（RES/RES）。 - 内置上电复位电路。 - 通过连接至Ct引脚的外部电容改变延迟时间。 - 便于使用少量元件构成备份功能。

功能详解： - M62021内部有一个比较器，通过电阻分压从VIN产生的电压VR与内部参考电压Vref进行比较。如果输入电压为5V，VR设置为1.24V或更高，比较器输出低电平，Ct输出（Q1集电极输出）为高电平。如果输入电压降至4.4V以下，VR低于1.24V，比较器输出变为高电平，Ct输出从高变低。输入电压此时称为VSL。当输入电压从异常状态恢复上升超过VSL 100mV时，每个输出在延迟电路产生的延迟后变化。

应用信息： - 用于微计算机系统和内置备份功能的SRAM板的电源控制系统，需要在外部电源和电池之间切换。