M66851J

M66851J

  • 厂商:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 封装:

  • 描述:

    M66851J - SRAM TYPE FIFO MEMORY - Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
M66851J 数据手册
M66851J
1. 物料型号: - M66850J/FP - M66851J/FP - M66852J/FP - M66853J/FP

2. 器件简介: - 这些是高速且时钟同步的先进先入先出(FIFO)存储器,采用高速CMOS技术制造,适用于网络和通信中的数据缓冲。写操作由写时钟引脚(WCLK)和两个写使能引脚(WEN1, WEN2)控制。读操作由读时钟引脚(RCLK)和两个读使能引脚(REN1, REN2)控制。

3. 引脚分配: - VCC:+5伏电源引脚。 - GND:0伏地引脚。 - RS:复位输入。当RS置低时,内部读写指针设置到第一个物理位置,输出寄存器初始化为低,FF和PAF置高,EF和PAE置低。 - WCLK:写时钟输入。在WCLK的上升沿,当FIFO允许写入时,D0-D8上的数据被写入FIFO。 - RCLK:读时钟输入。在RCLK的上升沿,当FIFO允许读取时,数据从FIFO读出。 - WEN1:写使能1输入。如果FIFO配置为允许加载偏移寄存器,WEN1是唯一的写使能。当WEN1为低时,D0-D8上的数据在WCLK的上升沿被写入FIFO。 - WEN2/LD:写使能2/加载输入。此信号的功能在复位时定义。如果WEN2/LD在复位时为高,则作为第二个写使能(WEN2)。如果为低,则作为加载和读取偏移寄存器的控制信号。 - REN1, REN2:读使能输入。当REN1和REN2为低且输出端口使能时,数据从FIFO读出并在RCLK的上升沿呈现在Q0-8上。 - OE:输出使能输入。当OE为低时,输出端口Q0-8使能输出。当OE为高时,输出端口Q0-8处于高阻状态。 - D0-8:9位数据输入端口。 - Q0-8:9位数据输出端口。 - EF:空标志输出。当读指针等于写指针时,空标志置低,表示FIFO为空。 - PAE:可编程几乎空标志输出。当PAE为低时,基于偏移量FIFO几乎为空。 - FF:满标志输出。当FIFO充满数据时,满标志置低。 - PAF:可编程几乎满标志输出。当PAF为低时,基于偏移量FIFO几乎已满。

4. 参数特性: - 存储配置:64words x 9bits (M66850J/FP),256words x 9bits (M66851J/FP),512words x 9bits (M66852J/FP),1024words x 9bits (M66853J/FP)。 - 写和读时钟可以独立。 - 先进的CMOS技术。 - 可编程的几乎空和几乎满标志。 - 高速:25ns周期时间。 - 封装类型:32引脚塑料有铅芯片载体(PLCC)和32引脚低轮廓四边扁平封装(LQFP)。

5. 功能详解: - FIFO具有四个标志(EF, FF, PAE, PAF)。空标志EF和满标志FF是固定标志。几乎空标志PAE和几乎满标志PAF是可编程标志。可编程标志偏移量由加载引脚(LD)启动。

6. 应用信息: - 用于网络通信的数据缓冲。
M66851J 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“M66851J”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货