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RA05H8693M-101

RA05H8693M-101

  • 厂商:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 封装:

  • 描述:

    RA05H8693M-101 - 866-928MHz 5W 14V, 3 Stage Amp. - Mitsubishi Electric Semiconductor

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RA05H8693M-101 数据手册
Silicon RF Power Semiconductors ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RA05H8693M BLOCK DIAGRAM RoHS Compliance,866-928MHz 5W 14V, 3 Stage Amp. DESCRIPTION The RA05H8693M is a 5watt RF MOSFET Amplifier Module that operate in the 866 to 928MHz range. The battery can be connected directly to the drain of the enhancement-mode MOSFET transistors. The output power and drain current increase as the gate voltage increases. With a gate voltage around 3.5V (minimum), output power and drain current increases substantially. The nominal output power becomes available at 3.8V (typical) and 4V (maximum). At VGG=5V, the typical gate current is 1 mA. FEATURES • Enhancement-Mode MOSFET Transistors (IDD≅0 @ VDD=14V, VGG=0V) • Pout>5W, IT
RA05H8693M-101
1. 物料型号:STM32F103C8T6 是一款基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器,属于STM32系列。

2. 器件简介:该器件具备高性能、低成本、高集成度等特点,适用于多种嵌入式应用场景。

3. 引脚分配:文档中详细列出了STM32F103C8T6的引脚及其功能,包括电源引脚、I/O引脚等。

4. 参数特性:介绍了该微控制器的主要技术参数,如工作电压、工作频率、内存大小等。

5. 功能详解:深入阐述了STM32F103C8T6的内部功能模块,如NVIC、DMA、ADC等,并提供了相应的配置和使用方法。

6. 应用信息:提供了一些典型的应用案例,帮助用户理解该微控制器在实际项目中的应用。

7. 封装信息:描述了STM32F103C8T6的物理封装形式,包括尺寸、引脚数量等信息。
RA05H8693M-101 价格&库存

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