物料型号：
- 型号为RA05H9595M。
器件简介：
- RA05H9595M是一款5瓦特的射频MOSFET放大器模块，工作频段为952至954MHz。
引脚分配：
- 1. RF输入（Pin）
- 2. 栅极电压（VGG）
- 3. 漏极电压（VDD）
- 4. RF输出（Pout）
- 5. RF地（Case）
参数特性：
- 工作频段：952-954MHz
- 输出功率：在14V供电电压、5V栅极电压、1mW输入功率条件下，输出功率大于5W
- 漏极电流：在上述条件下，总电流IT小于1.4A
- 控制电流：在5V栅极电压下，典型值为1mA
功能详解：
- 该模块由一个氧化铝基板焊接在铜法兰上构成。为机械保护，用硅胶附着塑料帽。MOSFET晶体管芯片粘贴在金属上，线键合至基板，并涂覆树脂。基板上的线条（最终为电感）、芯片电容器和电阻器形成偏置和匹配电路。焊接在氧化铝基板上的引线提供直流和射频连接。
应用信息：
- 该模块适用于移动通信终端，并未特别设计用于其他应用。特别注意，这些产品对静电放电（ESD）敏感，需要适当的ESD预防措施。
封装信息：
- 封装代码：H11S
- 模块尺寸：60.5 x 14 x 6.4 mm
