物料型号：
- 型号：RA05H9595M
- 订购信息：RA05H9595M-101，防静电托盘，每盘20个模块。
器件简介：
- RA05H9595M是一款5瓦射频MOSFET放大器模块，工作在952至954MHz频段。
引脚分配：
- RF输入（Pin）
- 栅极电压（VGG）
- 漏极电压（VDD）
- RF输出（Pout）
- RF地（Case）
参数特性：
- 增强型MOSFET晶体管
- 在14V供电电压和5V栅极电压下，输出功率大于5W，总电流小于1.4A
- 频率范围：952-954MHz
- 低功耗控制电流：在5V栅极电压下，典型值为1mA
- 模块尺寸：60.5 x 14 x 6.4 mm
功能详解：
- 电池可以直接连接到增强型MOSFET晶体管的漏极。
- 随着栅极电压的增加，输出功率和漏极电流增加。在3.5V栅极电压时，输出功率和漏极电流显著增加。在3.8V（典型）和4V（最大）栅极电压下可获得额定输出功率。在5V栅极电压下，典型栅极电流为1mA。
应用信息：
- 该模块由敷在铜法兰上的氧化铝基板组成。为机械保护，用硅胶附着塑料帽。MOSFET晶体管芯片粘贴在金属上，线键合到基板，并涂覆树脂。基板上的线条（最终电感）、芯片电容器和电阻器形成偏置和匹配电路。焊在氧化铝基板上的引线提供直流和射频连接。
封装信息：
- 封装代码：H11S
