物料型号：
- 型号为RA07N3340M。
器件简介：
- RA07N3340M是一款用于9.6伏特便携式无线电的7.5瓦射频MOSFET放大器模块，工作频率范围为330至400MHz。模块设计用于非线性FM调制，但也可以通过设置漏极静态电流和控制输入功率来实现线性调制。
引脚分配：
- 1. RF输入（P_in）
- 2. 栅极电压（V_GG）
- 3. 漏极电压（VDD）
- 4. RF输出（P_out）
- 5. RF地（外壳）
参数特性：
- 最大漏极电压（VDD）：16V（VGG=0V时），13.2V（VGG<3.5V时）。
- 最大栅极电压（VGG）：4V。
- 最大输入功率（Pin）：30mW。
- 最大输出功率（Pout）：10W。
- 工作温度范围：-30至+90°C。
- 存储温度范围：-40至+110°C。
功能详解：
- 在V_GG=0V时，仅有小漏电流，RF输入信号衰减高达60dB。随着V_GG的增加，输出功率和漏极电流增加。在V_GG=3.5V时，可以获得标称输出功率。模块尺寸为30 x 10 x 5.4 mm。
应用信息：
- 模块由安装在铜法兰上的氧化铝基板组成，为机械保护，用硅胶附着塑料帽。MOSFET晶体管芯片贴装在金属上，线焊到基板上，并涂覆树脂。
- 应避免的条件包括：对氧化铝基板施加弯曲力、对引线施加机械应力、与MOSFET芯片上的树脂涂层反应的去焊剂等。
封装信息：
- 封装代码：H46S。
- 模块尺寸：30 x 10 x 5.4 mm。
