物料型号:
- 型号为RA13H3340M。
器件简介:
- RA13H3340M是一款13瓦的RF MOSFET放大器模块,适用于12.5伏特的移动无线电设备,工作频率范围在330至400MHz。
引脚分配:
- RF输入(Pin)
- 栅极电压(VGG),功率控制
- 漏极电压(VDD),电池
- RF输出(Pout)
- RF地(Case)
参数特性:
- 最大漏极电压(VoD):17V
- 最大栅极电压(VGG):6V
- 输入功率(Pin):100mW
- 输出功率(Pout):20W
- 工作壳体温度范围(Tcase(OP)):-30至+110°C
- 存储温度范围(Tsig):-40至+110°C
功能详解:
- 该模块设计用于非线性FM调制,但也可以用于线性调制,通过栅极电压设置漏极静态电流,并用输入功率控制输出功率。
- 在VGG=5V时,典型栅极电流为1mA。
- 模块尺寸为66 x 21 x 9.88 mm。
应用信息:
- 该模块由铝基板焊接在铜法兰上,为机械保护,用硅胶附着塑料帽。
- MOSFET晶体管芯片贴装在金属上,线键合到基板,并涂覆树脂。
- 基板上的线条(最终电感)、芯片电容器和电阻器形成偏置和匹配电路。
- 焊接在基板上的引线提供直流和射频连接。
封装信息:
- 封装尺寸为66 x 21 x 9.88 mm。