### 物料型号
- 型号:RA13H3340M
### 器件简介
- 描述:RA13H3340M是一款13瓦特的RF MOSFET放大器模块,适用于12.5伏特的移动无线电设备,操作频率范围在330至400MHz。
### 引脚分配
- RF输入:P_in
- 门极电压:VGG
- 漏极电压:VDD
- RF输出:P_out
- RF地(外壳):5 RF Ground (Case)
### 参数特性
- 最大额定值:
- 漏极电压 (VDD):17V
- 门极电压 (VGG):6V
- 输入功率 (Pin):100mW
- 输出功率 (Pout):20W
- 工作外壳温度范围:-30至+110°C
- 存储温度范围:-40至+110°C
- 电气特性(T_case=+25°C,Z_G=Z_L=50Ω):
- 频率范围:330至400MHz
- 输出功率:在VDD=12.5V,VGG=5V,Pin=50mW条件下,最小值为13W
- 总效率:40%
- 二次谐波:-30dBc
- 输入VSWR:3:1
- 门极电流 (IGG):最小值为1mA
### 功能详解
- 模块设计:该模块设计用于非线性FM调制,但也可以通过设置漏极静态电流和控制输入功率来实现线性调制。
- 功率控制:通过门极电压(VGG)控制输出功率,或通过RF输入功率(Pin)进行线性AM调制控制。
### 应用信息
- 应用:适用于移动无线电设备,特别是在330至400MHz频段。
- ESD敏感性:对静电放电敏感,需采取适当的ESD预防措施。
- 安装:需确保散热器平整度小于50微米,并推荐使用导热化合物以降低热接触电阻和减轻陶瓷基板的弯曲应力。
### 封装信息
- 封装代码:H2S
- 模块尺寸:66 x 21 x 9.88 mm