物料型号：
- 型号为RA20H8994M。
器件简介：
- RA20H8994M是一款20瓦射频MOSFET放大器模块，适用于12.5伏特移动电台，工作频率范围为896至941兆赫。
- 该模块设计用于非线性调频，但也可以通过设置漏极静态电流和控制输入功率来实现线性调制。
引脚分配：
- RF输入（Pin）
- 栅极电压（VGG），功率控制
- 漏极电压（VDD），电池
- RF输出（Pout）
- RF地（Case）
参数特性：
- 最大漏极电压（VoD）：17V
- 最大栅极电压（VGG）：6V
- 输入功率（Pin）：100mW
- 输出功率（Pout）：40W
- 工作盒温范围（Tcase(OP)）：-30至+110°C
- 存储温度范围（Tsig）：-40至+110°C
功能详解：
- 该模块包含增强型MOSFET晶体管，具有宽带频率范围和低功耗控制电流。
- 输出功率和漏极电流随栅极电压增加而增加。
- 在VGG=5V时，典型栅极电流为1mA。
应用信息：
- 该模块由一个氧化铝基板焊接在铜法兰上，并通过硅橡胶附加一个塑料帽以提供机械保护。
- MOSFET晶体管芯片贴装在金属上，通过线键合连接到基板，并涂覆有树脂。
- 基板上的线路（最终形成电感）、芯片电容器和电阻器构成偏置和匹配电路。
- 焊接在氧化铝基板上的引线提供直流和射频连接。
封装信息：
- 封装代码：H2S
- 模块尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
