### 物料型号
- 型号:RA30H1317M
### 器件简介
- RA30H1317M是一款30瓦射频MOSFET放大器模块,适用于12.5伏特的移动无线电设备,工作频率范围为135至175MHz。
### 引脚分配
- 1 RF输入 (Pin)
- 2 栅极电压 (VGG)
- 3 漏极电压 (VDD)
- 4 RF输出 (Pout)
- 5 RF地 (Case)
### 参数特性
- 最大漏极电压 (VoD):17V
- 最大栅极电压 (VGG):6V
- 输入功率 (Pin):100mW
- 输出功率 (Pout):45W
- 工作案例温度范围:-30至+110°C
- 存储温度范围:-40至+110°C
### 功能详解
- 该模块设计用于非线性FM调制,但也可以用于线性调制,通过栅极电压设置漏极静态电流,并用输入功率控制输出功率。
- 增强型MOSFET晶体管,当VDD=12.5V,VGG=5V,Pin=50mW时,输出功率大于30W,总效率大于40%。
- 工作频率范围为135-175MHz。
- 栅极控制电流IGG典型值为1mA(在VGG=5V时)。
- 模块尺寸为66 x 21 x 9.88 mm。
### 应用信息
- 该模块由铝基板焊接在铜法兰上构成,为机械保护,用硅胶附着塑料帽。MOSFET晶体管芯片贴装在金属上,线键合到基板,并涂覆树脂。
- 避免对基板施加弯曲力、对引线施加机械应力、与MOSFET芯片上的树脂涂层反应的去焊剂、频繁开关导致的树脂热膨胀以及静电放电、浪涌和过电压。
- 该模块对静电放电敏感,需采取适当的静电放电预防措施。
- 散热器平面度必须小于50微米,建议在模块和散热器之间使用导热膏以降低热接触电阻,并减少由温差引起的基板弯曲应力。
- 模块必须先固定在散热器上,然后才能将引线焊接到印刷电路板上,推荐使用M3螺钉,拧紧扭矩为0.4至0.6 Nm。
- 该模块设计为手动焊接,焊接引线的温度必须低于260°C,最多10秒,或低于350°C,最多三秒。推荐使用乙醇去除焊剂,不得使用三氯乙烯溶剂。
### 封装信息
- 封装尺寸:66 x 21 x 9.88 mm