### 物料型号
- 型号:RA30H1317M
### 器件简介
- RA30H1317M是一款适用于12.5伏特移动无线电的30瓦RF MOSFET放大器模块,工作频率范围为135至175MHz。
### 引脚分配
- Drain(漏极):连接电池,增强型MOSFET晶体管的漏极。
- Gate(栅极):控制电压输入,影响漏极电流和输出功率。
- RF Input(射频输入):输入信号。
- RF Output(射频输出):输出信号。
- 5 RF Ground(案例):射频接地。
### 参数特性
- 最大漏极电压(VpD):17V(VGG<5V)
- 最大栅极电压(VGG):6V(VDD<12.5V, Pn=0mW)
- 最大输入功率(Pin):100mW(f=135-175MHz)
- 最大输出功率(Pout):45W(ZG=Z=50Ω)
- 工作温度范围(Tcase(OP)):-30至+110°C
- 存储温度范围(Tstg):-40至+110°C
### 功能详解
- 非线性FM调制设计:该模块设计用于非线性FM调制,但也可以通过设置栅极电压来控制漏极静态电流,并通过输入功率控制输出功率,实现线性调制。
- 效率:在12.5V供电和5V栅极电压下,输出功率超过30W,总效率大于40%。
- 二次谐波:-25dBc。
### 应用信息
- 移动无线电放大:适用于135至175MHz频段的12.5V移动无线电放大。
### 封装信息
- 封装代码:H2S
- 模块尺寸:66 x 21 x 9.88 mm