### 物料型号
- 型号:RA35H1516M
### 器件简介
- 简介:RA35H1516M是一款40瓦的RF MOSFET放大器模块,适用于12.5伏特的移动无线电设备,工作频率范围为154至162MHz。
### 引脚分配
- Drain Voltage (VDD):漏极电压,连接电池。
- RF Input (P_in):射频输入功率。
- Gate Voltage (VGG):栅极电压,用于控制输出功率和漏极电流。
- RF Output (P_out):射频输出功率。
- RF Ground (Case):射频地,即模块外壳。
### 参数特性
- 最大漏极电压 (VDD):17V
- 最大栅极电压 (VGG):6V
- 最大输入功率 (Pin):100mW
- 最大输出功率 (Pout):50W
- 工作温度范围:-30至+110°C
- 存储温度范围:-40至+110°C
### 功能详解
- 非线性FM调制:该模块设计用于非线性FM调制,但也可以通过设置栅极电压来控制漏极静态电流,并通过输入功率控制输出功率,实现线性调制。
- 效率:在12.5V和5V的VGG下,输出功率大于40W,总效率大于50%。
- 谐波抑制:二次谐波抑制至少为-50dBc。
### 应用信息
- 应用:适用于12.5V移动无线电设备,特别是在154至162MHz频段。
### 封装信息
- 模块尺寸:66 x 21 x 9.88 mm
- 订购信息:
- RA35H1516M-E01:防静电托盘包装。
- RA35H1516M-01:日本包装,不含干燥剂,每托盘10个模块。