物料型号:
- 型号:RA60H1317M
- 订购信息:RA60H1317M-101,防静电托盘,每盘10个模块。
器件简介:
- RA60H1317M是一款60瓦射频MOSFET放大模块,适用于12.5伏特的移动无线电设备,工作频率范围为135至175MHz。
- 该模块设计用于非线性FM调制,但也可以通过设置漏极静态电流和控制输入功率来实现线性调制。
引脚分配:
- RF输入(P_in)
- 栅极电压(VGG,用于功率控制)
- 漏极电压(VDD,连接电池)
- RF输出(P_out)
- RF地(外壳)
参数特性:
- 最大额定值:
- 漏极电压(VpD):17V
- 栅极电压(VGG):6V
- 输入功率(Pin):100mW
- 输出功率(Pout):75W
- 工作外壳温度范围(Tcase(OP)):-30至+110°C
- 存储温度范围(Tstg):-40至+110°C
- 电气特性(Tcase=25°C):
- 工作频率范围:135至175MHz
- 输出功率(Pout):60W
- 总效率(ηT):大于40%
- 第二次谐波(2nd Harmonic):-25dBc
- 输入电压驻波比(VSWR):3:1
- 栅极电流(IGG):1mA
功能详解:
- 该模块由增强型MOSFET晶体管组成,在无栅极电压时,漏极和RF输入信号只有很小的漏电流,信号衰减高达60dB。
- 输出功率和漏极电流随栅极电压增加而增加,典型工作栅极电压为4.5V至5V,栅极电流为1mA。
应用信息:
- 该模块适用于移动无线电设备,特别注意避免对基板的弯曲力、机械应力、去焊剂与MOSFET芯片树脂涂层反应、频繁开关机导致的热膨胀以及静电放电、浪涌、过电压和负载VSWR导致的振荡。
- 模块对静电放电敏感,需要适当的静电放电预防措施。
封装信息:
- 封装代码:H2S
- 模块尺寸:66 x 21 x 9.88 mm