1. 物料型号:
- MTEH, MTES, 和 MTEZ 系列TCXO(温度补偿晶体振荡器)。
2. 器件简介:
- 这些器件符合工业标准封装,并且有RoHS合规版本可用。它们提供高达±1ppm的稳定性,并且工作电压为+3.3VDC或+5.0VDC。还提供了电压控制选项。
3. 引脚分配:
- Pin 1:无连接。
- VC选项:±10ppm min。
4. 参数特性:
- 输出类型包括HCMOS、Clipped Sinewave和Sinewave,频率范围从1.000MHz到160.000MHz。
- 负载为10k Ohms // 15pF(HCMOS和Clipped Sinewave)或50 Ohms(Sinewave)。
- 电源电流分别为35mA max、3mA max和25mA max。
- 输出电平为逻辑"1"= 90%的Vdd min,逻辑"0"= 10%的Vdd max。
- 对称性为40%/60%在波形的50%处。
- 频率稳定性包括温度、老化和电压变化下的稳定性,分别为±1ppm每年、±0.3ppm和±0.3ppm。
- 存储温度为-40°C到+85°C。
- 供电电压为+3.3VDC ±5%或+5.0VDC ±5%,带VC选项的控制电压为+1.65VDC到+1.50VDC或+2.50VDC到+2.00VDC。
5. 功能详解:
- 提供了频率稳定性与温度的关系表,显示了不同温度下频率稳定性的变化。
- 提供了机械尺寸图和推荐的土地模式。
6. 应用信息:
- 适用于需要高精度频率控制的应用,如通信设备、测量设备等。
7. 封装信息:
- 提供了详细的机械尺寸和推荐的外部旁路电容器。
- 还提供了抗冲击、耐焊接性和耐溶剂性的军用标准测试方法。