QA151M

SiC MOSFET 驱动器专用电源 QA151M SiC MOSFET 驱动器专用电源 专利保护 产品特点     效率高达 80% SIP 封装 隔离电压 3500VAC 超小隔离电容  工作温度范围: -40℃ to +105℃   可持续短路保护 国际标准引脚方式 RoHS QA151M 是专为需要两组隔离电源的 SiC MOSFET 驱动器专用电源。其内部采用了两路共地输出模式，可以更好的为 SiC 的开通与关 断提供能量。同时具有输出短路保护及自恢复能力。该产品适用于： 1.通用变频器 2.交流伺服驱动系统 3.电焊机 4.不间断电源(UPS) 选型表 产品型号 输入电压(VDC) 标称值 （范围值） QA151M 15 (13.5-16.5) 输出 输出电压(VDC) 输出电流(mA) +Vo/-Vo +Io/-Io +15/-5 +100/-100 满载效率(%) Min./Typ. 最大容性负载*(µF) 76/80 220 注：*每路输出容性负载一样。 输入特性 项目 工作条件 Min. Typ. Max. 单位 输入电流（满载/空载） 15V 输入 -- 162/15 -- mA -0.7 -- 21 VDC 输入冲击电压(1sec. max.) 输入滤波器 电容滤波 热插拔 不支持 输出特性 项目 输出电压 输出电压精度 Min. Typ. +Vo 14.4 15 15.9 Vin=15VDC, Pin5 & Pin6 -Io=-100mA -Vo -4.75 -5 -5.75 Vin=15VDC, Pin6 & Pin7 +Io=+100mA +Vo Vin=15VDC, Pin5 & Pin6 -Io=-100mA -Vo 工作条件 Vin=15VDC, Pin6 & Pin7 +Io=+100mA 10% 到 100% 负载 纹波&噪声* 20MHz 带宽 温度漂移系数 100% 负载 VDC -5% to +15% 见误差包络曲线（见图 1） -- ±1.1 -- +Vo -- 7 -- -Vo -- 9 -- +Vo -- 120 -- -- 80 -- -- ±0.02 -- 输入电压变化±1% 负载调节率 单位 -4% to +6% 10% 到 100% 负载 线性调节率 Max. -Vo 输出短路保护 -% mVp-p %/℃ 可持续，自恢复 注：*纹波和噪声的测试方法采用平行线测试法，具体操作方法参见《DC-DC 模块电源应用指南》。 2019.10.18-A/2 第 1 页 共 4 页 该版权及产品最终解释权归广州金升阳科技有限公司所有 SiC MOSFET 驱动器专用电源 QA151M 通用特性 项目 工作条件 Min. Typ. Max. 单位 隔离电压 输入-输出，测试时间 1 分钟，漏电流小于 1mA 3500 -- -- VAC 绝缘电阻 输入-输出，绝缘电压 500VDC 1000 -- -- MΩ 隔离电容 输入-输出，100KHz/0.1V pF 工作温度 温度≥85℃降额使用（见图 2） -- 3.5 -- -40 -- 105 -55 -- 125 引脚耐焊接温度 焊点距离外壳 1.5mm,10 秒 -- -- 300 工作时外壳温升 Ta=25℃ -- 30 -- 存储湿度 无凝结 -- 开关频率 100%负载，输入标称电压 平均无故障时间（MTBF） MIL-HDBK-217F@25℃ 存储温度 ℃ -- 95 %RH -- 83 -- KHz 3500 -- -- K hours 物理特性 外壳材料 黑色阻燃耐热塑料 封装尺寸 19.50 × 9.80 × 12.50mm 重量 4.2g (Typ.) 冷却方式 自然空冷 EMC 特性 EMI EMS 传导骚扰 CISPR32/EN55032 CLASS B（推荐电路见图 5） 辐射骚扰 CISPR32/EN55032 CLASS B（推荐电路见图 5） 静电放电 IEC/EN61000-4-2 Contact ±6KV perf. Criteria B 产品特性曲线 +Vo 输出误差包络曲线 -Vo 输出误差包络曲线 图1 2019.10.18-A/2 第 2 页 共 4 页 该版权及产品最终解释权归广州金升阳科技有限公司所有 SiC MOSFET 驱动器专用电源 QA151M 图2 设计参考 1. 测试方法 1 Vin +Vo 1 7 Vin Vin +Vo A 7 C2 Vin DC/DC 0V C1 2 GND -Vo A 6 C3 V Vin Load C1 DC/DC 0V V Load 6 5 GND 2 -Vo 5 图3 注：C1，C2，C3 分别为 100uF/35V (低内阻电容) 2. 典型应用 SiC 驱动器 SiC C1/C2/C3 100uF/35V (低内阻电容) 图4 3. EMC 典型推荐电路 输入电压(VDC) EMI 15 C1/C2 4.7µF /50V C3/C4 100µF /35V(低内阻电容) LDM 6.8µH 图5 4. 产品输入或输出端的外接电容建议使用低 ESR 系列的电解电容 5. 产品不支持输出并联升功率或热插拔使用 6. 更多信息，请参考应用笔记 www.mornsun.cn 2019.10.18-A/2 第 3 页 共 4 页 该版权及产品最终解释权归广州金升阳科技有限公司所有 SiC MOSFET 驱动器专用电源 QA151M 外观尺寸、建议印刷版图 注： 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 包装信息请参见《产品出货包装信息》 ，包装包编号：58200013; 使用时连接电源模块和 SiC 驱动器的引线尽可能的短； 输出滤波电容尽可能靠近电源模块和 SiC 驱动器； SiC MOSFET 驱动器专用电源门极驱动电流的峰值较高，建议电源模块输出滤波电容选用低内阻电解电容； 驱动器平均输出功率必须小于电源模块输出功率； 如用于振动场合，请考虑在模块旁边用胶水固定； 最大容性负载应在输入电压范围、满负载条件下测试； 除特殊说明外，本手册所有指标都在 Ta=25℃，湿度