物料型号：V53C104A
器件简介：V53C104A是一款高性能、低功耗的256K x 4位快速页面模式CMOS动态随机存取存储器，采用VICMOS II技术制造，具有快速页面模式、低功耗待机电流等特点。
引脚分配：
- 20引脚塑料DIP封装和26/20引脚SOJ封装。
- 引脚包括地址输入（A0-A8）、行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）、输出使能（OE）、数据输入输出（D0-D3）和供电（VDD、Vss）。
参数特性：
- 最大RAS访问时间：70ns、80ns、100ns。
- 最大列地址访问时间：35ns、40ns、45ns。
- 最小快速页面模式周期时间：45ns、50ns、55ns。
- 最小读/写周期时间：130ns、150ns、180ns。
- CMOS待机电流：V53C104A为1.5mA，V53C104AL为1.0mA。
功能详解：
- 支持快速页面模式，可随机访问一行中的512(x4)位，周期时间最短为45ns。
- 静态电路设计，CAS时钟不在关键时序路径中。
- 列地址锁存器允许地址流水线，降低了系统时序要求。
- 适用于图形、数字信号处理和高性能计算系统。
应用信息：
- 适用于需要高数据带宽和低功耗的应用，如图形处理、数字信号处理等。
封装信息：
- 标准封装为20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ。
以上信息提供了PDF文档中关于V53C104A动态随机存取存储器的详细技术参数和功能描述。
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