V53C104DP80L

1. 物料型号： - 型号：V53C104D

2. 器件简介： - V53C104D是一款高性能、低功耗的256K x 4位快速页面模式CMOS动态随机存取存储器。它提供了高数据带宽、快速可用速度和低CMOS待机电流等特点，适用于图形处理、数字信号处理和高性能计算系统。

3. 引脚分配： - 标准封装为20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ。 - 引脚包括地址输入（Ao-A）、行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）、输出使能（OE）、数据输入/输出（VO,-VO4）、+5V供电（VDD）、0V供电（Vss）等。

4. 参数特性： - 最大RAS访问时间（RAc）：60ns、70ns、80ns。 - 最大列地址访问时间（ICAA）：30ns、35ns、40ns。 - 最小快速页面模式周期时间（lpc）：40ns、45ns、50ns。 - 最小读/写周期时间（ac）：120ns、130ns、150ns。

5. 功能详解： - 支持快速页面模式，允许在行内随机访问多达512（x4）位，周期时间最短为40ns。 - 由于静态电路，CAS时钟不在关键时序路径中。 - 流过式列地址锁存器允许地址流水线，同时放宽了许多关键系统时序要求，以实现快速可用速度。 - 支持读-修改-写、RAS-only刷新、CAS-before-RAS刷新能力。

6. 应用信息： - 适用于需要高数据率的应用，如位图图形或高速信号处理。

7. 封装信息： - 20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ封装。