1. 物料型号:
- 型号为V53C104F,是一款高性能、低功耗的256K x 4位快速页面模式CMOS动态随机存取存储器。
2. 器件简介:
- V53C104F提供高速数据带宽、快速可用速度、CMOS待机电流以及在请求时的扩展刷新功能,以实现非常低的数据保持功率(V53C104FL型号)。所有输入和输出都与TTL兼容,输入和输出电容显著降低,以提高系统性能。快速页面模式操作允许在行内随机访问多达512(x4)位,周期时间最短为40ns。由于静态电路,CAS时钟不在关键时序路径中。流过式列地址锁存器允许地址流水线,同时放宽了许多关键的系统时序要求,以实现快速可用速度。这些特性使V53C104F非常适合图形、数字信号处理和高性能计算系统。
3. 引脚分配:
- 提供了20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ标准封装的引脚配置图。
4. 参数特性:
- 包括最大RAS访问时间、最大列地址访问时间、最小快速页面模式周期时间、最小读/写周期时间等参数,具体数值根据不同的访问时间等级(60/70/80ns)有所不同。
5. 功能详解:
- V53C104F通过将18位地址多路复用到9位行地址和9位列地址来读取和写入数据。行地址由行地址选通脉冲(RAS)锁存,列地址通过内部地址缓冲器并由列地址选通脉冲(CAS)锁存。由于访问时间主要取决于有效的列地址,而不是CAS边沿发生的确切时间,因此RAS到CAS的延迟时间对访问时间影响很小。
6. 应用信息:
- V53C104F适用于需要高数据带宽和低功耗的应用,如图形处理、数字信号处理和高性能计算系统。
7. 封装信息:
- 标准封装为20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ。