物料型号:
- 型号为V53C104F,是一款高性能、低功耗的256K x 4位快速页面模式CMOS动态随机存取存储器。
器件简介:
- V53C104F提供高速页面模式,以支持高数据带宽和快速可用速度,具有CMOS待机电流和扩展刷新功能以实现非常低的数据保持功率(V53C104FL型号)。所有输入和输出均与TTL兼容,输入和输出电容显著降低,以提高系统性能。该器件适合图形处理、数字信号处理和高性能计算系统。
引脚分配:
- 提供了20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ封装的引脚配置图。
参数特性:
- 包括最大RAS访问时间、最大列地址访问时间、最小快速页面模式周期时间、最小读/写周期时间等。
- 提供了不同访问时间下的参数值,例如60ns、70ns和80ns。
功能详解:
- V53C104F通过将18位地址多路复用到9位行地址和9位列地址来读取和写入数据。行地址由行地址选通脉冲(RAS)锁存,列地址通过内部地址缓冲器并由列地址选通脉冲(CAS)锁存。
- 支持快速页面模式操作,允许在保持RAS低电平时,随机访问同一行中的所有512列。
- 支持两种刷新模式:通过每隔8ms对每个行地址进行RAS时钟刷新,或使用CAS-before-RAS刷新周期。
应用信息:
- 适合需要高数据率的应用,如位图图形或高速信号处理。
封装信息:
- 标准封装为20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ。