V53C104FP80

1. 物料型号： - 型号为V53C104F，是一款高性能、低功耗的256K x 4位快速页面模式CMOS动态随机存取存储器。

2. 器件简介： - V53C104F提供高速数据带宽和低功耗的特性，适用于需要高数据带宽和低功耗的应用场合，如图形处理、数字信号处理和高性能计算系统。

3. 引脚分配： - 提供了20引脚塑料双列直插式封装（Plastic DIP）和26/20引脚小外形J引脚封装（SOJ）。 - 引脚包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）、输出使能（OE）、数据输入输出（VO - VO4）、+5V供电（Vcc）、地（Vss）等。

4. 参数特性： - 最大RAS访问时间有60ns、70ns、80ns三种规格。 - 最小快速页面模式周期时间为40ns、45ns、50ns。 - 最小读/写周期时间为120ns、130ns、150ns。 - CMOS待机电流分别为V53C104F 1.0mA最大，V53C104FL 0.2mA最大。

5. 功能详解： - 支持快速页面模式，允许在行内随机访问最多512（x4）位，周期时间最短为40ns。 - 具有读-修改-写、RAS仅刷新、CAS-前RAS刷新的能力。 - 提供了低功耗待机模式，V53C104FL在CMOS待机模式下的最大数据保持功耗为1.65mW。

6. 应用信息： - 适用于图形、数字信号处理和高性能计算系统。

7. 封装信息： - 标准封装为20引脚塑料DIP和26/20引脚SOJ。