V53C104P-10L

物料型号：VITELIC V53C104 FAMILY

器件简介：V53C104是一款高性能、低功耗的256Kx4位快速页面模式CMOS动态随机存取存储器（DRAM）。

采用VICMOS技术制造，提供高速页面模式、快速可用速度、CMOS待机电流以及扩展刷新功能，以实现超低数据保持功率（V53C104L型号）。

引脚分配： - 20引脚塑料DIP、26引脚SOJ和20引脚塑料ZIP封装。

- 引脚包括地址输入（A0-A9）、行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）、输出使能（OE）、数据输入/输出（I/O1-I/O4）以及供电（Vcc、Vss）。

参数特性： - 最大RAS访问时间（tRAc）：85ns、100ns、120ns - 最大列地址访问时间（CcAA）：40ns、45ns、55ns - 最小快速页面模式周期时间（tpc）：55ns、65ns、75ns - 最小读/写周期时间（tac）：160ns、190ns、220ns - 最大CMOS待机电流（lope）：1.5mA

功能详解： - 快速页面模式允许在行内随机访问最多512（x4）位，周期时间最短为55ns。

- 由于静态电路设计，CAS时钟不在关键时序路径中。

- 流过式列地址锁存器允许地址流水线，同时放宽了许多关键系统时序要求，以实现快速可用速度。

- 适用于图形处理、数字信号处理和高性能计算系统。

应用信息： - 适用于需要高数据带宽和低功耗的应用，如图形处理、数字信号处理和高性能计算系统。

封装信息： - 标准封装为20引脚塑料DIP，也可提供SOJ和ZIP封装，具体需咨询工厂。