物料型号：MTDF1N03HD/D
器件简介：MTDF1N03HD/D 是一款中等功率的表面贴装产品，TMOS双N沟道场效应晶体管。
采用摩托罗拉的高单元密度HDTMOS工艺制造，能够在低电压、高速开关应用中实现高效率，适用于dc-dc转换器和便携式及电池供电产品的电源管理。
引脚分配：
- 引脚1：源极1（Source 1）
- 引脚2：栅极1（Gate 1）
- 引脚3：源极2（Source 2）
- 引脚4：栅极2（Gate 2）
- 引脚5：漏极2（Drain 2）
- 引脚6：漏极1（Drain 1）
- 引脚7：漏极1（Drain 1）
- 引脚8：漏极2（Drain 2）
参数特性：
- 漏极-源极电压（VDS）：30V
- 漏极-栅极电压（RGs = 1.0 M）：30V
- 栅极-源极电压（连续）：±20V
- 导通电阻（RDS(on)）：0.120欧姆
- 连续漏极电流（@ TA = 25°C）：2.8A
- 脉冲漏极电流（IDM）：23A
- 热阻（Junction to Ambient）：100°C/W（1平方英寸FR-4或G-10 PCB）
功能详解：MTDF1N03HD/D 场效应晶体管具备低导通电阻和高耐压特性，适用于需要高效率和快速开关的应用。
其内部二极管具有低反向恢复时间，适合用于桥式电路。
此外，器件还具有逻辑电平门驱动能力，可以由逻辑IC驱动。
应用信息：典型应用包括dc-dc转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，以及磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低电压电机控制。
封装信息：Micro8表面贴装封装，具有极低的高度（<1.1mm），适用于PCMCIA卡等薄型应用。
封装的热阻为200°C/W，能够在25°C的环境温度下实现0.63瓦的总功率耗散。
建议在玻璃环氧印刷电路板上使用推荐的足迹以实现此功率耗散。
使用如Thermal Clad™等板材料，可以在同一足迹下将功率耗散翻倍。
