1. 物料型号：
- M6001, M6002, M6003, M6004系列。
2. 器件简介：
- 这些是9x14 mm FR-4封装的HCMOS/TTL兼容的温补晶体振荡器（TCXO）和电压控制晶体振荡器（VCTCXO），工作电压为5.0或3.3伏特。
3. 引脚分配：
- 引脚1：N/C或控制电压
- 引脚2：三态
- 引脚3：地/外壳
- 引脚4：输出
- 引脚5：N/C
- 引脚6：+Vdd
4. 参数特性：
- 频率范围：5 MHz至30 MHz
- 工作温度：根据订购信息确定
- 存储温度：-55°C至+105°C
- 频率稳定性：根据订购信息确定（见注1）
- 老化：第一年1.0 ppm，10年老化3.0 ppm（见注2）
- 输入电压：M6001/M6003为3.15至3.45伏特，M6002/M6004为4.75至5.25伏特
- 输入电流：M6001/M6003为10 mA，M6002/M6004为20 mA
- 可拉出性：±10 ppm（仅M6003/M6004，正斜率）
- 控制电压：0.5至2.5伏特（仅M6003/M6004）
- 调制带宽：10 kHz（仅M6003/M6004）
- 输入阻抗：50k欧姆（仅M6003/M6004）
5. 功能详解：
- 输出类型：CMOS
- 负载：15 pF
- 对称性（占空比）：根据订购信息确定
- 逻辑"1"电平：Voh为Vdd的90%
- 逻辑"0"电平：Vol为Vdd的10%
- 上升/下降时间：Tr/Tf为3 ns
- 三态功能：输入逻辑"1"时输出激活，输入逻辑"0"时输出禁用
- 启动时间：10 ms
- 相位噪声（典型值）：19.44 MHz时，10 Hz -77 dBc，100 Hz -107 dBc，1 kHz -128 dBc，10 kHz -143 dBc，100 kHz -148 dBc（偏移量从载波）
6. 应用信息：
- 适用于信号处理、军事/航空通信、飞行控制、WLAN、基站、DWDNM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
7. 封装信息：
- 提供DIP封装（联系工厂）。
