物料型号：
- M6001, M6002, M6003, M6004
器件简介：
- 这些是9x14 mm尺寸的FR-4封装，工作电压为5.0或3.3伏，兼容HCMOS/TTL电平，提供TCXO和VCTCXO两种类型的晶体振荡器。
引脚分配：
- 1: N/C或控制电压
- 2: 三态控制
- 3: 地/外壳
- 4: 输出
- 5: N/C
- 6: +Vdd
参数特性：
- 频率范围：5 MHz至30 MHz
- 工作温度范围：根据订单信息确定
- 存储温度：-55°C至+105°C
- 频率稳定性：详见订单信息
- 老化：首年1.0 ppm，10年3.0 ppm
- 输入电压：M6001/M6003为3.15到3.45伏，M6002/M6004为4.75到5.25伏
- 输入电流：M6001/M6003为10 mA，M6002/M6004为20 mA
- 拉出能力：±10 ppm（仅M6003/M6004，正斜率）
- 控制电压：0.5到2.5伏（仅M6003/M6004）
- 调制带宽：10 kHz（仅M6003/M6004）
- 输入阻抗：50k欧姆（仅M6003/M6004）
功能详解：
- 输出类型：CMOS
- 负载：15 pF
- 对称性（占空比）：根据订单信息
- 逻辑"1"电平：Voh为Vdd的90%
- 逻辑"0"电平：Vol为Vdd的10%
- 上升/下降时间：Tr/Tf为3 ns
- 三态功能：输入逻辑"1"时输出激活，输入逻辑"0"时输出禁用
- 启动时间：10 ms
- 相位噪声：在19.44 MHz时，10Hz -77 dBc，100Hz -107 dBc，1kHz -128 dBc，10kHz -143 dBc，100kHz -148 dBc，以载波为偏移
应用信息：
- 适用于信号处理、军事/航空通信、飞行控制、无线局域网、基站、DWDNM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
封装信息：
- 提供DIP封装，具体对称性（占空比）和逻辑电平根据订单信息确定。
