### 物料型号
- 型号:M6001, M6002, M6003, M6004
### 器件简介
- 系列:9x14 mm FR-4封装,工作电压为5.0或3.3伏,HCMOS/TTL兼容,提供温度补偿晶体振荡器(TCXO)和电压控制晶体振荡器(VCTCXO)。
### 引脚分配
- 1:N/C或控制电压
- 2:三态
- 3:地/外壳
- 4:输出
- 5:N/C
- 6:+Vdd
### 参数特性
- 频率范围:5 MHz至30 MHz
- 工作温度:根据订购信息确定
- 存储温度:-55°C至+105°C
- 频率稳定性:详见订购信息
- 老化:第一年1.0 ppm,10年老化3.0 ppm
- 输入电压:M6001, M6003为3.15至3.45伏;M6002, M6004为4.75至5.25伏
- 输入电流:M6001, M6003为10 mA;M6002, M6004为20 mA
- 拉出能力:±10 ppm(仅M6003/M6004,正斜率)
- 控制电压:0.5至2.5伏(仅M6003/M6004)
- 调制带宽:10 kHz(仅M6003/M6004)
- 输入阻抗:50k欧姆(仅M6003/M6004)
### 功能详解
- 输出类型:CMOS
- 负载:15 pF
- 对称性(占空比):详见订购信息
- 逻辑"1"电平:Voh为Vdd的90%
- 逻辑"0"电平:Vol为Vdd的10%
- 上升/下降时间:Tr/Tf为3 ns
- 三态功能:输入逻辑"1"时输出激活,输入逻辑"0"时输出禁用
- 启动时间:10 ms
- 相位噪声:典型值在19.44 MHz时,10 Hz -77 dBc,100 Hz -107 dBc,1 kHz -128 dBc,10 kHz -143 dBc,100 kHz -148 dBc
### 应用信息
- 应用领域:信号处理、军事/航空通信、飞行控制、WLAN、基站、DWDM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
### 封装信息
- 封装类型:9x14 mm FR-4封装,具体封装细节需联系工厂。