1. 物料型号：
- M6001, M6002, M6003, M6004
2. 器件简介：
- 这些是9x14 mm封装的FR-4材质晶振，工作电压为5.0或3.3伏，兼容HCMOS/TTL电平，提供温度补偿晶体振荡器（TCXO）和电压控制晶体振荡器（VCTCXO）。
3. 引脚分配：
- 引脚1：N/C或控制电压
- 引脚2：三态
- 引脚3：地/外壳
- 引脚4：输出
- 引脚5：N/C
- 引脚6：+Vdd
4. 参数特性：
- 频率范围：5 MHz至30 MHz
- 工作温度：根据订购信息
- 存储温度：-55°C至+105°C
- 频率稳定性：初始校准后±0.5 ppm，十年老化±1.0 ppm至±3.0 ppm
- 输入电压：M6001/M6003为3.15V至3.45V，M6002/M6004为4.75V至5.25V
- 输入电流：M6001/M6003为10 mA，M6002/M6004为20 mA
- 拉出能力：±10 ppm（仅M6003/M6004，正斜率）
- 控制电压：0.5V至2.5V（仅M6003/M6004）
- 调制带宽：10 kHz（仅M6003/M6004）
- 输入阻抗：50k Ohms（仅M6003/M6004）
5. 功能详解：
- 输出类型为CMOS，负载为15 pF，对称性（占空比）根据订购信息。
- 逻辑"1"电平为Vdd的90%，逻辑"0"电平为Vdd的10%。
- 上升/下降时间为3 ns。
- 三态功能：输入逻辑"1"时输出激活，输入逻辑"0"时输出禁用。
- 启动时间为10 ms。
- 相位噪声在19.44 MHz时，10 Hz偏移为-77 dBc，100 Hz偏移为-107 dBc，1 kHz偏移为-128 dBc，10 kHz偏移为-143 dBc，100 kHz偏移为-148 dBc。
6. 应用信息：
- 适用于信号处理、军事/航空通信、飞行控制、WLAN、基站、DWDM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
7. 封装信息：
- 提供DIP封装，具体封装细节请联系工厂获取数据手册。
