物料型号：
- M6001, M6002, M6003, M6004
器件简介：
- 这些是9x14 mm封装的FR-4晶振，支持5.0或3.3伏特HCMOS/TTL电平，提供温度补偿晶体振荡器（TCXO）和电压控制晶体振荡器（VCTCXO）。
引脚分配：
- 1: N/C或控制电压
- 2: 三态
- 3: 地/外壳
- 4: 输出
- 5: N/C
- 6: +Vdd
参数特性：
- 频率范围：5 MHz至30 MHz
- 工作温度：根据订购信息确定
- 存储温度：-55°C至+105°C
- 频率稳定性：初始校准后±0.5 ppm，第一年老化1.0 ppm，10年老化3.0 ppm
- 输入电压：M6001/M6003为3.15至3.45V，M6002/M6004为4.75至5.25V
- 输入电流：M6001/M6003为10mA，M6002/M6004为20mA
- 拉出能力：±10 ppm（仅M6003/M6004，正斜率）
- 控制电压：0.5至2.5V（仅M6003/M6004）
- 调制带宽：10 kHz（仅M6003/M6004）
- 输入阻抗：50k欧姆（仅M6003/M6004）
功能详解：
- 输出类型为CMOS，负载为15pF，对称性（占空比）根据订购信息确定。
- 逻辑"1"电平为Vdd的90%，逻辑"0"电平为Vdd的10%。
- 上升/下降时间为3ns，三态功能根据输入逻辑"1"激活输出，输入逻辑"0"时输出禁用。
- 启动时间为10ms，相位噪声在19.44 MHz时典型值从10Hz的-77dBc到100kHz的-148dBc。
应用信息：
- 适用于信号处理、军事/航空通信、飞行控制、无线局域网、基站、DWDM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
封装信息：
- 提供DIP封装（请联系工厂获取数据手册）。
