物料型号：
- M6001, M6002, M6003, M6004 Series
器件简介：
- 这些器件是9x14 mm FR-4封装，工作在5.0或3.3 Volt，HCMOS/TTL接口，提供TCXO和VCTCXO两种温补晶振。
引脚分配：
- 1: N/C或控制电压
- 2: 三态
- 3: 地/外壳
- 4: 输出
- 5: N/C
- 6: +Vdd
参数特性：
- 频率范围：5 MHz至30 MHz
- 工作温度范围：根据订购信息确定
- 存储温度：-55°C至+105°C
- 频率稳定性：根据订购信息确定（见注释1）
- 老化：第一年1.0 ppm，10年老化3.0 ppm（见注释2）
- 输入电压：对于M6001和M6003是3.15至3.45伏，对于M6002和M6004是4.75至5.25伏
- 输入电流：对于M6001和M6003是10 mA，对于M6002和M6004是20 mA
- 可拉出性：±10 ppm（仅M6003/M6004，正斜率）
- 控制电压：0.5至2.5伏（仅M6003/M6004）
- 调制带宽：10 kHz（仅M6003/M6004）
- 输入阻抗：50k欧姆（仅M6003/M6004）
功能详解：
- 输出类型：CMOS
- 负载：15 pF
- 对称性（占空比）：根据订购信息确定
- 逻辑"1"电平：Voh为Vdd的90%
- 逻辑"0"电平：Vol为Vdd的10%
- 上升/下降时间：Tr/Tf为3 ns
- 三态功能：输入逻辑"1"时输出激活，输入逻辑"0"时输出禁用
- 启动时间：10 ms
- 相位噪声：典型值在19.44 MHz时，10 Hz -77 dBc，100 Hz -107 dBc，1 kHz -128 dBc，10 kHz -143 dBc，100 kHz -148 dBc，以载波为偏移。
应用信息：
- 适用于信号处理、军事/航空通信、飞行控制、无线局域网、基站、DWDNM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
封装信息：
- 提供了DIP封装（联系工厂）。
