### 物料型号
- M6001, M6002, M6003, M6004
### 器件简介
这些是9x14 mm封装的晶振,工作在HCMOS/TTL电平,提供5.0或3.3伏供电,支持温度补偿晶体振荡器(TCXO)和电压控制晶体振荡器(VCTCXO)。
### 引脚分配
| FUNCTION | PAD |
| --- | --- |
| N/C或控制电压 | 1 |
| 三态 | 2 |
| 地/外壳 | 3 |
| 输出 | 4 |
| N/C | 5 |
| +Vdd | 6 |
### 参数特性
- 频率范围:5 MHz至30 MHz
- 工作温度:根据订购信息
- 存储温度:-55°C至+105°C
- 频率稳定性:初始校准后±0.5 ppm,10年老化±1.0 ppm至±3.0 ppm
- 输入电压:M6001/M6003为3.15V至3.45V,M6002/M6004为4.75V至5.25V
- 输入电流:M6001/M6003为10 mA,M6002/M6004为20 mA
- 拉出能力:±10 ppm(仅M6003/M6004,正斜率)
- 控制电压:0.5V至2.5V(仅M6003/M6004)
- 调制带宽:10 kHz(仅M6003/M6004)
- 输入阻抗:50k Ohms(仅M6003/M6004)
### 功能详解
- 输出类型:CMOS
- 负载:15 pF
- 对称性(占空比):根据订购信息
- 逻辑"1"电平:Voh为Vdd的90%
- 逻辑"0"电平:Vol为Vdd的10%
- 上升/下降时间:Tr/Tf为3 ns
- 三态功能:输入逻辑"1"时输出激活,输入逻辑"0"时输出禁用
- 启动时间:10 ms
- 相位噪声:19.44 MHz时,10 Hz处-77 dBc,100 Hz处-107 dBc,1 kHz处-128 dBc,10 kHz处-143 dBc,100 kHz处-148 dBc
### 应用信息
适用于信号处理、军事/航空通信、飞行控制、WLAN、基站、DWDM、SERDES、SONET/SDH、10G和40G以太网应用。
### 封装信息
- DIP封装(联系工厂)