FAN3100TMPX

DATA SHEET www.onsemi.cn  2A   FAN3100T, FAN3100C WDFN6 2x2, 065P CASE 511CY SOT23−5 CASE 527AH  FAN3100 2A 栅极动器在短开内提 峰 电流 冲，动开应用动的 N 沟 增强 M O S F E T 。 此  动 器 可  提  T T L ( FA N 3 1 0 0 T ) 或 CMOS (FAN3100C)  。内电可出持电平状 态，直到电源电压 工围，提欠压定功。 FAN3100 提快 MOSFET 开性，可在 功率换器 最大度地提 效率。 FAN3100 动器内用最出的 MillerDrivet 架构。 双极性 MOSFET 合可在 MOSFET 开/程的Miller电 场期提 峰电流，最大度地减少开损 ，同时 提!到!电压摆幅和反向电流力。 FAN3100 "提可#$的双  ，用在同相或反相 模式工，%实施 功。如果 或  端均未&接，则内电' 端，将出端拉( 电平，持功率 MOSFET 断。 FAN3100 ) 用 无 引 * + , 2x2 mm 6 引 * 塑 封 无 - 封 . (MLP)，最小的尺寸提出/的热性，或)用工标准 5 引 0 SOT23 封.。 PIN ASSIGNMENT  6 IN− AGND 2 5 PGND VDD 3 4 OUT VDD 1 GND 2 IN+ 3 5 OUT 4 IN* SOT23−5 () MARKING DIAGRAM &E&E&Y &O100X&C &.&O&E&V &E &Y &O 100X &C &. &V •开电源 • 效 MOSFET 开 •同步整流电 •DC−DC 换器 •电机控制 1 2 x 2 mm 6  MLP ()  •3 A 峰灌电流/源电流，VDD =12 V •4.5 到 18 V 工围 •2.5 A 灌电流/1.8 A 源电流，VOUT = 6 V •双 12 %功$同相或反相 •无 时内电'3动器 •1 nF 45时，典型升时 13 ns，典型6时  9 ns •可7择 TTL 或 CMOS   •MillerDrive™ 技术 • 6或升，典型播延8时 20 ns •6 引0 2x2 mm MLP 或 5 引0 SOT23 封. •9定环境温度 −40°C  125°C • These Devices are Pb−Free and Halogen Free IN+ = Designates Space = Binary Calendar Year Coding Scheme = Plant Code identifier = Device Specific Code X = T or C = Single digit Die Run Code = Pin One Dot = Eight−Week Binary Datecoding Scheme ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information on page 17 of this data sheet. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2007 August, 2021 − Rev. 4 1 Publication Order Number: FAN3100TCN/D FAN3100T, FAN3100C  ( 1) QJL (  2) QJT (  3) QJA (  4) YJB (  5) YJT (  6)  6 , 2x2 mm   (MLP) 2.7 133 58 2.8 42 °C/W SOT23−5 56 99 157 51 5 °C/W  1. 2. 3. 4. ；。 Theta_JL (QJL):  （  !"#）%&'()%*，,-."/ PCB 。 Theta_JT (QJT):   '()%*，0 -12%!345678。 Theta_JA (QJA): 9:)%*， PCB 0、!;?@!A%BC（E?）。 5. Psi_JB (Y JB ):  I J  K ， ' L 5   4  >  %  9 :    7    M N D  O P  ) % Q  J 。 C  MLP−6  ，MNDOR>!"#QS/、! %TUV"#%$PCB WX。C SOT23−5  ，MNDO> 2$QY% pcb WX。 6. Psi_JT (YJT): IJK，'L5 4 >%9:  7 2Z[)%QJ。  SOT23  MLP   1 3 VDD 2 AGND ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 2 GND  M\M%U。IC %&MM\。 ]，^'(_（)` MLP  ）。S/a IC (% PGND。 ] ()` SOT−23  ) 。^'^#MN%*+O]。 3 1 IN+ b-c^'。 VDD S/de^#。 4 6 IN− -Q^'。S/a AGND f ，/e^#。 5 4 OUT ghi0^#：47Mk，lbmn%^'#o，8 VDD p UVLO q。 Pad P1 5 PGND !#U（)` MLP  ）。 &Zrs%tu，M;S/a 5。 M\/]（)` MLP  ）。C^#i0MN，vwxy^'9w。  IN+ IN− OUT 0 ( 7) 0 0 0 ( 7) 1 ( 7) 0 1 0 1 1 1 ( 7) 0 7. Ez@{Z/d%|}^'(_。 www.onsemi.cn 2 FAN3100T, FAN3100C  1 VDD 5 OUT 2 GND 3 VDD 4 OUT 5 PGND UVLO 100 kW IN+ VDD_OK 3 100 kW 100 kW IN− 4 图 1. （SOT23 ） UVLO 100 kW IN+ VDD_OK 1 100 kW 100 kW IN− AGND 6 2 0.4 W 图 2. （MLP ） www.onsemi.cn 3 FAN3100T, FAN3100C   VDD VDD a GND VIN VOUT !   −0.3 20.0 V IN+  IN− to GND, AGND f PGND M% GND −0.3 VDD + 0.3 V OUT a GND, AGND f PGND M% GND −0.3 VDD + 0.3 V GND −2 VDD + 0.3 V +260 °C ^#U$(OUT) $GND、AGND$f$PGND$%~M%$(TPULSE < 300 ns) $( 8) TL "/78 (10 €) TJ 7 −55 +150 °C '=#%ˆ‰，A>Še?‹Œ。Ez„1 ,`，v ŽA>@e，Še?A>‹Œ，‘ Š’J。 8. “!`D (< Max TJ) "#$   VDD M\M%ˆ‰ VIN ^'M% IN+、IN− TA ”E9:78 !   4.5 18.0 V 0 VDD V −40 +125 °C Functional operation above the stresses listed in the Recommended Operating Ranges is not implied. Extended exposure to stresses beyond the Recommended Operating Ranges limits may affect device reliability. (O‚ƒ) p•–—Eˆ‰'˜=M%d，FŽe™š.›œ。d)5•–—Eˆ‰'˜H>ˆ‰/{%M%›œ，Še?‘A>% Š’J。 %& (lbž，VDD = 12 V 8 TJ = −405°C a +125°C。Mš，