物料型号：2SD2139
器件简介：硅NPN三扩散平面型功率晶体管，适用于高速开关和高电流放大比。
引脚分配：1. 基极（Base），2. 发射极（Emitter），3. 集电极（Collector）。
参数特性：
- 集电极-基极电压（发射极开路）：VCBO 80V
- 集电极-发射极电压（基极开路）：VCEO 60V
- 发射极-基极电压（集电极开路）：VEBO 6V
- 集电极电流：Ic 3A
- 峰值集电极电流：Icp 6A
- 基极电流：IB 1A
- 集电极功耗：Pc 15W
- 存储温度：-55至+150℃
功能详解：该晶体管具有高电流转换比（hFE）、线性良好的电流转换比（hFE）和允许径向卷带供电。
应用信息：适用于高速开关和高电流放大比的应用场合。
封装信息：MT-4-A1封装，尺寸为4.2±0.2mm x 5.0±0.1mm x 10.0±0.2mm，引脚间距为1.0±0.2mm。
