物料型号：2SD2598
器件简介：硅NPN外延平面达林顿晶体管，用于低频放大。
引脚分配：MT-2-A1封装，1:发射极，2:集电极，3:基极。
参数特性：
- 绝对最大额定值（25°C时）：VcBO 60V，VCEO 50V，VEBO 5V，Ic 500mA，Icp 750mA，Pc 1W，TJ 150℃，Tstg -55至+150℃。
- 电气特性（25°C±3°C时）：VCBO≥60V，VCEO≥50V，VEBO≥5V，ICBO≤100nA，IEBO≤100nA，hFE 4000至20000，VCE(sat)≤2.5V，VBE(sat)≤3.0V，fT 200MHz。
功能详解：高电流传输比hFE设计，适合电机和打印机驱动电路，省去驱动电路中的分压电阻，易于自动和手动插入，可独立固定在印刷电路板上。
应用信息：适用于标准应用或一般电子设备，如办公设备、通信设备、测量仪器和家用电器。
对于特殊应用（如飞机、航天、汽车、交通控制设备、燃烧设备、生命维持系统和安全设备），需要提前咨询销售人员。
封装信息：MT-2-A1封装，尺寸信息为6.9±0.1mm x 2.5±0.1mm x 0.7mm，引脚间距为0.65mm最大。
