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UNR411E00A

UNR411E00A

  • 厂商:

    NAIS(松下)

  • 封装:

    NS-B1

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
UNR411E00A 数据手册
UNR411E00A
物料型号: UNR411x系列,包括UNR4110至UNR411N和UNR411D至UNR411F等型号。

器件简介: 这些是带有内置电阻的PNP外延平面型晶体管,专为数字电路设计。

引脚分配: 引脚从1到3分别代表发射极(Emitter)、集电极(Collector)和基极(Base)。

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-50V - 集电极-发射极电压(VCEO):-50V - 集电极电流(IC):最大-100mA - 总功率耗散(PT):300mW - 结温(Tj):最高150°C - 存储温度(Tstg):-55至+150°C

功能详解: - 这些晶体管设计用于降低设备成本,通过缩小设备尺寸和减少零件数量。 - 提供新的S型封装,允许径向卷带供应。

应用信息: - 这些晶体管适用于需要内置电阻的数字电路应用。

封装信息: 提供NS-B1封装类型。

此外,文档还包含了电气特性表,包括不同条件下的最小、典型和最大值,如集电极-基极电压(VCBO)、集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-基极截止电流(ICBO)等。还包括了不同型号晶体管的正向电流传输比(hFE)和集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))等参数的图表。
UNR411E00A 价格&库存

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