物料型号:UNR92ANG
器件简介:
- 符合RoHS指令(EU 2002/95/EC)
- 硅NPN外延平面型,适用于高密度安装和设备小型化,有助于降低功耗
引脚分配:
- 1: 基极(Base)
- 2: 发射极(Emitter)
- 3: 集电极(Collector)
参数特性:
- 绝对最大额定值包括集电极-基极电压(VCBO) 50V,集电极-发射极电压(VCEO) 50V,集电极电流(IC) 80mA,总功耗(PT) 125mW,结温(Tj) 125°C,存储温度(Tstg) -55至+125°C
- 电气特性在Ta = 25°C±3°C条件下,包括不同条件下的VCBO、VCEO、ICBO、ICEO、IEBO、hFE、VCE(sat)、VOH、VOL、R1、R1/R2比率和fT等参数
功能详解:
- 提供了关于晶体管的正向电流传输比(hFE)、集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))、输出高电平(VOH)、输出低电平(VOL)、输入电阻(R1)、基区宽度调制效应(Cob)、功耗(PT)与环境温度(Ta)的关系等图表
应用信息:
- 适用于数字电路,有助于实现设备的高密度安装和小型化,同时降低功耗
封装信息:
- 封装类型为SSMini3-F3,包含尺寸和标记符号(KL)等信息