物料型号：UP04878
器件简介：UP04878是一款由松下生产的硅N沟道MOSFET，用于开关应用。
引脚分配：1-源极(FET1)，2-栅极(FET1)，3-漏极(FET2)，4-源极(FET2)，5-栅极(FET2)，6-漏极(FET1)
参数特性：允许2.5V驱动，内置保护二极管，减小安装面积和组装成本。
功能详解：器件通过内置保护二极管和低驱动电压来优化开关性能，减少了安装面积和成本。
应用信息：适用于需要低驱动电压和高可靠性开关应用的场合。
封装信息：SSMini6-F1封装，尺寸为1.60±0.05mm x 0.80±0.05mm x 0.55±0.05mm，标记符号为7Y。
绝对最大额定值包括漏源击穿电压50V，栅源电压±7V，漏极电流100mA，峰值漏极电流200mA，总功耗125mW，沟道温度125℃，存储温度范围-55至+125℃。
电气特性在25±3℃条件下，漏源击穿电压为50V，漏源截止电流小于1.0uA，栅源截止电流±5uA，阈值电压在0.9至1.5V之间，导通电阻在6至15欧姆之间，正向传输电导20至60mS，短路正向转移电容12pF，短路输出电容7pF，反向传输电容3pF，导通时间200ns，关断时间200ns。
注意事项：产品符合RoHS指令，技术信息仅用于展示产品的主要特性和应用电路示例，不授予任何知识产权或许可。
产品设计需遵守绝对最大额定值和保证操作条件。
产品规格如有变更，不另行通知。
设计时需考虑半导体产品的故障模式，推荐采取系统防护措施。
使用时需遵守使用说明，以防止外部因素导致的损坏。
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