物料型号：XP01878
器件简介：Panasonic XP01878 是一种硅N沟道MOSFET，用于开关应用。它具有两个元件集成在一个封装中，可以减少安装面积和组装成本的一半。
引脚分配：1: Gate (FET1), 2: Source, 3: Gate (FET2), 4: Drain (FET2), 5: Drain (FET1)。封装类型为EIAJ: SC-88A，SMini5-G1。
参数特性：
- 漏源击穿电压：VDss 50V
- 栅源电压（漏开）：VGsO ±7V
- 漏电流：ID 100mA
- 峰值漏电流：Ipp 200mA
- 总功耗：PT 150mW
- 沟道温度：Tch 150℃
- 存储温度：Tstg -55 to +125℃
功能详解：文档中提供了详细的电气特性表，包括漏源导通电压、漏源截止电流、栅源截止电流、栅阈值电压、漏源导通电阻、正向传输导纳、短路正向转移电容、短路输出电容、反向传输电容、导通时间、关断时间等参数。
应用信息：产品适用于标准应用或一般电子设备（如办公设备、通信设备、测量仪器和家用电器）。
封装信息：SMini5-G1封装，标记符号为AL。
