NCE2060K

厂商：
NCEPOWER(无锡新功率)
封装：
TO-252-2(DPAK)
描述：
NCE N沟道增强型功率MOSFET

数据手册：

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NCE2060K 数据手册

Pb Free Product NCE2060K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =20V,ID =60A RDS(ON)

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NCE2060K

物料型号：NCE2060K

器件简介：NCE2060K是一款使用先进沟槽技术和设计制造的N沟道增强型功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。

引脚分配：文档中提供了TO-252-2L封装的顶视图，但具体的引脚分配未在文档中明确列出。

参数特性： - 漏源电压(Vos)最大20V - 栅源电压(VGs)最大±12V - 连续漏电流(lo)最大60A - 脉冲漏电流(IOM)最大210A - 最大功耗(Po)60W - 瞬态热阻(ReJc)2.1°C/W

功能详解： - 高密度单元设计，实现超低Rdson - 完全表征的雪崩电压和电流 - 高EAS下的稳定性和均匀性 - 优秀的封装有助于散热

应用信息： - 可用于负载开关、硬开关和高频电路、不间断电源等

封装信息： - 提供了TO-252-2L封装的尺寸信息，包括最小和最大尺寸，以及典型值。

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