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NCE30D2519K

NCE30D2519K

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
TO252-4L
描述：
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W

数据手册：

下载NCE30D2519K.pdf

数据手册
价格&库存

NCE30D2519K 数据手册

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NCE30D2519K

国内价格
1+1.02235
10+0.98210
100+0.86135
500+0.83720

库存：0

NCE30D2519K

国内价格
10+2.91480
200+1.73880
800+1.21720
2500+0.86940
5000+0.82590
25000+0.76510

库存：1305

NCE30D2519K

型号：NCE30D2519K
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252-4
描述：NCE30D2519K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

国内价格
1+2.04984
10+1.57626
30+1.37333
100+1.12007
500+1.00732
1000+0.93960

库存：3274

NCE30D2519K

型号：NCE30D2519K
品牌：NCE POWER
封装：TO-252-4
描述：

国内价格
1+2.70280

库存：10

NCE30D2519K

型号：NCE30D2519K
品牌：无锡新洁能
封装：TO-252-4
描述：新洁能/NCE30D2519K TO-252-4 30V 25A/-19A N+P沟道 MOS场效应管

国内价格
50+0.77302
500+0.75997

库存：513

NCE30D2519K

型号：NCE30D2519K
品牌：NCE/新洁能
封装：TO-252-4
描述：

国内价格
10+0.64960

库存：20000

NCE30D2519K

型号：NCE30D2519K
品牌：NCE（新洁能）
封装：TO-252-4
描述：场效应管(MOSFET) 21W 8.5mΩ@10V,7A 30V 1个N沟道+1个P沟道

国内价格
1+1.00224
100+0.77112
1250+0.65340
2500+0.60480

库存：1305

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