NCE30H10

厂商：
NCEPOWER(无锡新功率)
封装：
TO-220-3
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L

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NCE30H10 数据手册

Pb Free Product NCE30H10 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

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NCE30H10

物料型号：STM32F103C8T6 器件简介：STM32F103C8T6 是一款基于 ARM Cortex-M3 内核的 32 位微控制器，具有 108 MHz 的最大时钟频率和 64 KB 的闪存。

引脚分配：该芯片有 48 个引脚，包括 GPIO、ADC 通道、通信接口等。

参数特性：工作电压为 2.0V 至 3.6V，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

功能详解：具备多种通信接口，如 USART、SPI、I2C，以及高级定时器和 DMA 控制器。

应用信息：适用于工业控制、消费电子、医疗设备等领域。

封装信息：LQFP-48 封装。

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