NCE30P30K

厂商：
NCEPOWER(无锡新洁能)
封装：
TO252
描述：
P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W

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Pb Free Product NCE30P30K http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P30K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-30V,ID =-30A RDS(ON)

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