NCE4060K

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
TO-252(DPAK)
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W

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NCE4060K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =60A RDS(ON)

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NCE4060K

物料型号：NCE4060K 器件简介：NCE4060K是一款采用先进沟道技术和设计的N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于广泛的应用场景。

引脚分配：D（漏极）、G（栅极）、S（源极） 参数特性： - VDS（漏源电压）= 40V - IDS（漏极电流）= 60A - RDS(ON)（导通电阻）< 8.5 mΩ @ VGS=10V - 高密度单元设计，用于超低Rdson - 完全表征的雪崩电压和电流 - 高EAS下的良好稳定性和均匀性 - 优秀的封装，有利于散热 - 特殊工艺技术，用于高ESD能力 功能详解：NCE4060K可应用于负载开关、硬开关及高频电路、不间断电源等。

应用信息：适用于负载开关、硬开关和高频电路、不间断电源。

封装信息：TO-252-2L封装，标记为NCE4060K。

注意：该器件不适用于需要极高可靠性等级的应用，如生命维持系统、飞机控制系统等。

在设计时，应采用安全措施以防止可能的事故或事件。

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