搜索历史

清空

搜索热词

VIP于到期续费

登录后你可以

下载海量资料
学习在线课程
观看技术视频
写文章/发帖/加入社区

会员中心

发布

发文章
发资料
发帖
提问
发视频

创作活动

查Datasheet、查价格、查替代料

一键BOM配单

热搜：

NCE40H12K

NCE40H12K

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
TO-252(DPAK)
描述：
N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W

数据手册：

下载NCE40H12K.pdf

数据手册
价格&库存

NCE40H12K 数据手册

Pb Free Product NCE40H12K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

NCE40H12K 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“NCE40H12K”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：NCE
封装：TO-252(DPAK)
描述：N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W

国内价格
1+1.68160
10+1.52260
30+1.41660
100+1.25760
500+1.18340
1000+1.13040

库存：3545

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：TO-252(DPAK)
描述：NCE40H12K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。

国内价格
5+2.32784
50+1.79000
150+1.55952
500+1.27203
2500+1.14394

库存：3598

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：NCE Power
封装：TO-252(DPAK)
描述：

国内价格
2500+1.38039

库存：2500

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：TO-252(DPAK)
描述：130W 20V 1.8V 75nC@ 20V 1个N沟道 40V 4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,7(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 120mA 5.4nF@ 20V TO-252

国内价格
5+2.30810
50+1.77220
150+1.54400
500+1.25930
2500+1.13250

库存：3780

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：TO-252(DPAK)
描述：130W 20V 1.8V 75nC@ 20V 1个N沟道 40V 4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,7(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 120mA 5.4nF@ 20V TO-252

库存：3780

NCE40H12K

国内价格
1+1.46880
100+1.12320
1250+0.97524
2500+0.92016

库存：7822

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：新洁能(NCE)
封装：TO-252(DPAK)
描述：MOS场效应管 NCE40H12K TO-252 N沟道,40V,120A,4mΩ@10V

国内价格
10+4.43470
200+2.64550
800+1.85180
2500+1.32270
5000+1.25660
25000+1.16400

库存：7852

NCE40H12K

型号：NCE40H12K
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：TO-252(DPAK)
描述：130W 20V 1.8V 75nC@ 20V 1个N沟道 40V 4mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,7(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 120mA 5.4nF@ 20V TO-252

库存：30000

相关技术文章