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NCE55P04S

NCE55P04S

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
SOIC-8
描述：
2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W

数据手册：

下载NCE55P04S.pdf

数据手册
价格&库存

NCE55P04S 数据手册

Pb Free Product NCE55P04S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The NCE55P04S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G2 G1 can be used in a wide variety of applications. S1 General Features S2 Schematic diagram ● VDS =-55V,ID =-4A RDS(ON)

NCE55P04S 价格&库存

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NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：SOIC-8
描述：3W 20V 2.6V 1个P沟道 55V 75mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 4A 1.45nF@ 25V SOP-8 贴片安装

国内价格
1+1.38970
10+1.31930
100+1.27100
500+1.21190
1000+1.15800

库存：135

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCE/新洁能
封装：SOIC-8
描述：

国内价格
10+1.15360

库存：16000

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：SOIC-8
描述：3W 20V 2.6V 1个P沟道 55V 75mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 4A 1.45nF@ 25V SOP-8 贴片安装

库存：135

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCE Power
封装：SOIC-8
描述：

国内价格
80+1.53355

库存：294

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCE
封装：SOIC-8
描述：2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W

国内价格
1+1.94736
10+1.77216
30+1.65536
100+1.48016
500+1.39840
1000+1.34000

库存：1093

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCEPOWER/无锡新洁能
封装：SOIC-8
描述：3W 20V 2.6V 1个P沟道 55V 75mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 4A 1.45nF@ 25V SOP-8 贴片安装

库存：5803

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCE POWER
封装：SOIC-8
描述：

国内价格
1+2.91330

库存：5

NCE55P04S

国内价格
20+3.70330
100+2.20910
1000+1.54640
4000+1.10460
8000+1.04940
40000+0.97200

库存：22200

NCE55P04S

型号：NCE55P04S
品牌：NCE
封装：SOIC-8
描述：场效应管(MOSFET) 类型：2个P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：82mΩ@10V,4A

国内价格
4000+0.83270

库存：6000

NCE55P04S

国内价格
1+1.47960
100+1.17720
1000+1.05192
2000+0.99252
4000+0.94068

库存：14341

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