NCE60H15A

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
TO-220-3
描述：
N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L

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NCE60H15A http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60H15A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =60V,ID =150A Schematic diagram RDS(ON)

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NCE60H15A

物料型号：NCE60H15A

器件简介： - 该器件采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 - 适用于多种应用场景。

引脚分配： - 器件采用TO-220-3L封装，具体引脚分配未在文档中明确说明，但通常TO-220封装的三个引脚分别为漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。

参数特性： - 漏源电压(VDS)：60V - 栅源电压(VGS)：+20V - 连续漏电流(ID)：150A - 脉冲漏电流(IDSM)：600A - 最大功耗(PD)：220W

功能详解： - 器件具有高密度单元设计，以实现超低的RDS(ON)。 - 完全表征的雪崩电压和电流。 - 良好的稳定性和均匀性，具有高EAS。 - 特殊的工艺技术，具有高ESD能力。

应用信息： - 适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。

封装信息： - 提供了TO-220-3L封装的详细尺寸信息，包括最小和最大尺寸。

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