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NCE60ND18G

NCE60ND18G

厂商：
NCEPOWER(新洁能)
封装：
DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：
N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP

数据手册：

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NCE60ND18G

型号：NCE60ND18G
品牌：NCE（新洁能）
封装：DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：场效应管(MOSFET) NCE60ND18G DFN8_4.9X5.75MM_EP

国内价格
1+1.44720
100+1.16640
1250+1.03896
2500+0.97956
5000+0.92880

库存：3360

NCE60ND18G

型号：NCE60ND18G
品牌：新洁能(NCE)
封装：DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：场效应管(MOSFET) NCE60ND18G DFN8_4.9X5.75MM_EP

国内价格
1+3.41220
10+3.18480
30+2.95730
100+2.72980
500+2.50230
1000+2.27480

库存：2129

NCE60ND18G

型号：NCE60ND18G
品牌：NCE（新洁能）
封装：DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：场效应管(MOSFET) NCE60ND18G DFN8_4.9X5.75MM_EP

国内价格
1+0.95997

库存：25

NCE60ND18G

型号：NCE60ND18G
品牌：NCE/新洁能
封装：DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：

国内价格
10+0.90720

库存：15000

NCE60ND18G

型号：NCE60ND18G
品牌：NCE
封装：DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP

国内价格
1+3.39570
10+3.34476
1000+1.86120
2000+1.67310
5000+1.55430

库存：2129

NCE60ND18G

型号：NCE60ND18G
品牌：NCE(无锡新洁能)
封装：DFN8_4.9X5.75MM_EP
描述：NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。

国内价格
5+3.70440
50+2.85120
150+2.48400
500+2.03040
2500+1.82520
5000+1.69560

库存：6259

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